Исследование инерционных свойств полупроводниковых приборов в переключательном режиме

Страницы работы

Содержание работы

Министерство Общего и Профессионального Образования

Российской Федерации

Уральский Государственный Технический Университет

Кафедра РЭИС

Отчет

по лабораторной работе

«Исследование инерционных свойств полупроводниковых приборов.»

Группа                            Р-219

Студент                 Сисин С.А.

Дата                    ___________

 
 


Екатеринбург 2001 г.

1)Цель работы:

Ознакомиться с особенностями проявления инерционных свойств различных полупроводниковых диодов в переключательном режиме, биполярных транзисторов – низко – и высокочастотных в схемах с общим эмиттером и общим коллектором, в ненасыщенном, насыщенном и переключательном режимах. 

2)Схема установки.



Рис.1.Схема для исследования диода.

R1=100Ом

Рис.2.Исследование транзистора.

3)Таблица результатов эксперимента.

 См в приложении А.

4)Найдем предельную частоту транзистора по частоте по формуле

Для МП26Б

Для КТ203А

 

5)Анализ полученных результатов

Мы получили осциллограммы транзистора и диода, работающих в импульсном режиме, на выходе при подаче на вход прямоугольного импульса напряжения.

·  По экспериментальным данным можно судить, что уровень инжекции практически не меняет время восстановления обратного сопротивления, но по  теории при увеличении уровня инжекции время восстановления обратного сопротивления должно быть больше, так как в базе будет больше неосновных носителей и они будут дольше рассасываться. Конструкция точечного диода заметно снизила восстановления обратного сопротивления (~20 раз) по сравнению с выпрямительным, так как по конструкции база точечного диода меньше, чем у выпрямительного и Iобр у него ~ в 2 раза меньше.

·  При увеличении амплитуды входного импульса Iк возрастает значит уменьшается tнар и возрастают tсп и tрасс , так как после включения в базе накапливается все больше и больше неосновных носителей (с повышением Uвх). Для ВЧ транзисторов соответственно уменьшаются tнар, tсп , tрасс по сравнению с НЧ, так как в ВЧ транзисторах неосновные носители практически не скапливаются в базе – этого можно достичь двумя спосабами: 1)Добавить Au в базу - увеличение числа рекомбинационных ловушек. 2)Зашунтировать  Б-К диодом Шотки - тогда при переключении ток пойдет через него.

·   

Похожие материалы

Информация о работе