Изучение работы полупроводникового и туннельного диодов, страница 2

   В отличие от обычного диода, при подаче обратного напряжения ток в туннельном диоде не выходит на насыщение. Понижение уровня Ферми в зоне проводимости n-области приводит к увеличению потока электронов, проникающих сквозь барьер из валентной зоны п/п р-типа. Именно поэтому при увеличении обратного напряжения ток через туннельный диод также растет (рис. 3г).

   Наличие у туннельного диода участка отрицательного дифференциального сопротивлении позволяет использовать их в качестве быстродействующих переключателей  и применять для генерации и усиления СВЧ-колебаний.

Методика эксперимента и экспериментальная установка

   Экспериментальная установка схематично изображена на рис. 4. p-n переход с сопротивлением R подключают к источнику напряжения e и помещают в термостат.

Рис. 4. Блок-схема экспериментальной установки.

Температуры термостата измеряется цифровым термометром. В установке предусмотрена возможность плавного изменения напряжения источника питания, что позволяет снять ВАХ характеристику исследуемых диодов.

   Из формул (3) и (4) видно, что сила тока через р-n переход зависит от его температуры. Разложив экспоненту при малых U в ряд Тейлора, выражение (3) можно записать в виде:

                                                                                                               (5)

Прологарифмировав (5), получаем:

                                                          ,                                                                (6)

где  - величина слабо зависящая от температуры. Таким образом, измерив зависимость тока протекающего через диод от его температуры и построив график функции ln(I)=f(1/T)  (см. рис. 5), по значению тангенса угла наклона прямой можно определить разность потенциалов Δφ р-n перехода и по формуле (2) рассчитать разность энергий Ферми п/п р-типа и n-типа.

Рис. 5. Зависимость логарифма тока от величины обратной

температуре p-n перехода.

Конструкция установки

   Экспериментальная установка выполнена в виде отдельного функционального модуля, заключенного в металлический кожух, на лицевой панели которого расположены:

- мультиметр для измерения тока и напряжения при снятии ВАХ характеристик;

- тумблер «I-U» - для переключения мультиметра из режима измерения тока в режим измерения напряжения;

- цифровой индикатор термометра;

- тумблер включения термометра – «термометр»;

- ручка регулировки напряжения подаваемого на диод – «U»;

- тумблер включения печи нагревателя – «нагреватель»;

- ручка регулировки нагрева печи термостата – «нагрев» (позиция против часовой стрелки до упора – печь выключена);

- переключатель «D1-D2» подключения диодов (позиция D1 – туннельный диод, позицияD2 – диод Д9Б);

- тумблер включения установки – «сеть».

   Величина силы тока протекающего через диоды определяется  по напряжению на резисторе в 1 Ом, который подключен последовательно с диодами. При этом тумблер «I-U» переводится в положение «I», а величина тока определяется по шкале «200 mV» или «2000 mV» мультиметра.

Порядок выполнения работы и обработка полученных результатов

   На первом этапе эксперимента исследуется ВАХ характеристика p-n перехода при комнатной температуре термостата.

   1. Включить установку тумблером «сеть». Включить термометр тумблером «термометр».

   2. Изменяя ручкой «U» величину подаваемого напряжения для диода D2 (Д9Б) снять зависимость силы тока I от напряжения U (15-20 точек) при комнатной температуре. Конструкция установки не позволяет изменять полярность подаваемого напряжения, поэтому исследуется только положительная ветвь ВАХ характеристики (рис.2). Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1.

U,  мВ

100

150

200

600

625

650

I(D1),  мА

   3. Переключить тумблер «D1-D2» в положение «D1» и снять ВАХ характеристику туннельного диода (не менее 5 точек в области первого подъема и 15-20 точек в области второго подъема характеристики). Как правило в области отрицательного дифференциального сопротивления измерения затруднительны, поэтому нижнюю часть ВАХ в области второго подъема следует снимать в процессе уменьшения подаваемого напряжения. Результаты измерений записать в таблицу 2.

Таблица 2.

U,  мВ

0,5

50

375

390

650

I(D2),  мА

   4. По результатам измерений п.2 и п.3 построить ВАХ обычного и туннельного диодов.

   На втором этапе эксперимента изменяя и измеряя температуру термостата при фиксированном значении напряжения прямого включения U снимают зависимость тока в цепи от температуры полупроводника.

   5. Установить величину подаваемого на диод D2 (Д9Б) напряжения U=300 мВ. Включить нагреватель термостата тумблером «нагреватель» и повернуть ручку «нагрев» в крайнее положение по часовой стрелке (положение максимальной мощности нагревателя). В процессе нагрева сопротивлений снять зависимость силы тока I  от температуры диода при заданном значении напряжения. (Записывать показания приборов не реже чем через каждые 100С). Нагрев проводить до температуры Т=80 0С. Результаты измерений занести в таблицу 3.

   Внимание! В процессе измерений необходимо постоянно контролировать величину установленного напряжения.

Таблица 3.

Т,  0С

Т,  К

1/Т,  К-1

I(D1),  мА

ln(I/I0)

20

30

80

   При построении графика температурной зависимости тока диода последний удобно нормировать на величину тока I0 соответствующего начальной температуре диода.

   6. Используя данные таблицы 3, построить график зависимости ln(I/I0) от 1/Т. Определив из графика тангенс угла наклона прямой по формуле

                                                              ЕFp―EFn = еΔφ = k∙tgα                                                    (7)

вычислить разность энергий Ферми полупроводников р- и n-типа.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1.  Что такое энергия Ферми и чем она определяется при Т = 0 К? Где расположен уровень Ферми в полупроводниках n-типа и р-типа?

2.  Что такое р-n переход? Как он формируется?

3.  Почему р-n переход обладает односторонней проводимостью? Где используют это свойство р-n перехода?

4.  Что такое туннельный диод? Объясните принцип его работы.

5.  Как изменяются электрические свойства полупроводникового диода с температурой?

ЛИТЕРАТУРА

   1. Верещагин И.К., Кокин С.М., Никитенко В.А., Селезнев В.А., Серов Е.А. Физика твердого тела. М., Высшая школа, 2001.

   2. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики. М., Высшая школа, 1989.