Методические указания по курсу "Основы схемотехники", страница 12

где    R_б1 и R_б2  - резисторы в цепи базового делителя;

R_{вх V} - входное сопротивление транзистора;

R_э=(0.026/I_к) - сопротивление эмиттера;

С_к - емкость коллекторного перехода;

f_т -  граничная частота транзистора;

К - коэффициент усиления каскада;

I_к - ток покоя.

Параметры f_т  и С_к – выбираются из справочника; R_б1, R_б2, R_{вх V}  и К определяются в процессе расчета.

Другие схемы  включения усилительных приборов (с общим коллектором, общей базой или аналогичными по назначению электродами полевых транзисторов) применяются более редко из-за меньшего коэффициента усиления мощности. Однако в широкополосных усилителях и усилителях, работающих в диапазоне высоких и сверхвысоких частот, последние два способа включения усилительных приборов широко применяются. В частности, схема с общим коллектором, получившая название «эмиттерный повторитель», используется в качестве буферного каскада для развязки последующих и предыдущих каскадов (уменьшения их влияния друг на друга), поскольку коэффициент передачи по напряжению такой схемы близок к единице, входное сопротивление составляет сотни кОм, а выходное – единицы Ом. Схема эмиттерного повторителя приведена на рисунке 4.

 

Рисунок 4 – Схема эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе

В цепи питания пунктиром показаны элементы фильтра (R_ф, С_ф), который часто используют при построении многокаскадных усилителей для устранения паразитной обратной связи по цепи питания, что повышает устойчивость усилителя.

С целью коррекции амплитудно-частотной характеристики в области верхних частот или коррекции формы переходной характеристики в области малых времен часто используют явление резонанса либо частотно-зависимую ООС. Для коррекции АЧХ в области нижних частот, а также переходной характеристики в области времен применяют частотно- зависимые ООС и частотно- зависимые нагрузки.