Исследование усовершенствованной модели полупроводникового умножителя частоты, страница 8

3. А.И Мушта, Ю.С. Балашов, И.П. Потапов, Д.В. Шеховцов, А.М. Сумин; Экспериментальные исследования ячейки полупроводникового параметрического умножителя частоты гармонических колебаний в технологическом процессе 350 нм, Вестник Воронежского государственного технического университета, 2008, Том 4, №9.

4. Статья Operational Amplifiers. Сайт http://ru.wikipedia.org.

5. Сadence® Design Tools. Version 6.0, 2003, 546 с.

6. Сadence®. SpectreRF. User Guide Product Version 5.0, 2003, 1472с.

7. ГОСТ 2.052-2006. Электронная модель изделия. Общие положения. – М.: Стандартинформ, 2006. – 12с.

8. Сadence®. Diva® Reference. Version 4.4.6, 2000, 658с.


Воронежский государственный технический университет

RESEARCH OF ADVANCED MODEL OF THE SEMI-CONDUCTOR PAMETRICHESKY FREQUENCY MULTIPLIER OF HARMONIOUS FLUCTUATIONS IN TECHNOLOGICAL BASIS WITH SUBMICRONIC TOPOLOGICAL NORMS

D.V. Shekhovtsov, U.S Balashov, A.I. Mushta

Article is devoted improvement of a cell of the parametrical multiplier of harmonious fluctuations for the purpose of its expansion broadbandness, to experimental researches of model of the cell created on the basis of the advanced scheme and model of a cell, constructed on the basis of its topology.

Key words: a multiplier cell, technological process 350 nm, model, the experimental sample, topology, диапазонность, the program of modelling Spectre.



 [1] Шеховцов Дмитрий Витальевич – ВГТУ, аспирант, 89081326813;

Балашов Юрий Степанович – ВГТУ, д-р физ.-мат. наук,  профессор,  929445;

Мушта Александр Иванович – ВГТУ, канд. техн. наук, профессор, 89610285069.