Способы питания и стабилизации усилительных элементов, страница 11

Здесь: Т_{п спр} – температура коллекторного перехода, равная +25°С;  – температура коллекторного перехода, которая зависит от температуры окружающей среды, мощности рассеивания на коллекторе транзистора (Р_к = U_к0 × i_к0) и теплового сопротивления переход – среда (R_пс), которое характеризует степень отвода тепла от p–n перехода в окружающую среду. Тепловое сопротивление R_псимеет размерность [°C/Вт] и показывает, на сколько градусов изменится температура p–n перехода при увеличении рассеиваемой мощности на 1 Вт (приводится в справочнике).

Необходимо отметить, что приведенные выше формулы для обратного тока коллектора – эмпирические и имеют значительную погрешность при больших различиях (несколько десятков градусов) между Т_{п мах} и Т. Поэтому значение I_кб0 выбирается в справочнике при температуре, наиболее близкой к Т_{п мах}.

Если предположить, что температура коллекторного перехода возрастает от Т_{п спр} до Т_{п макс} и при этом пренебречь температурной нестабильностью h_21э и i_б0 В этом случае начальный ток коллектора возрастет до значения , вследствие чего проходная характеристика сместится вверх (рисунок 3.7) и коллекторный ток возрастет до значения

.                                            (3.5)

Точка покоя окажется в верхней нелинейной части характеристики, что приведет к возникновению нелинейных искажений усиливаемого сигнала, и к уменьшению коэффициента усиления УЭ.

3.3.2. Схема с фиксированным напряжением смещения

Еще одна простейшая схем усилительного каскада на биполярном транзисторе приведена на рисунке 3.6.

В этой схеме смещение (напряжение U_бэ) создается с помощью делителя напряжения, состоящего из сопротивлений R_б и R. Через эти сопротивления протекает постоянный ток делителя (i_д). Падение напряжения на сопротивлении  R определяет смещение на переходе б–э транзистора.