6.1.4.4. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 70оС при открытом затворе.
6.1.4.5. Закрыть затвор, и студить до Т = 40оС, затем выключить установку согласно инструкции эксплуатации ВТ-установки, поднять колпак.
6.1.5. Поместить на испаритель из хрома навеску Cr, затем повернуть карусель и на испаритель из вольфрама поместить навеску Аl, затем навеску Ni на второй испаритель из вольфрама.
6.1.6. Поместить подложки в подложкодержатель установить свидетель, по месту крепления, установить датчик температуры, непосредственно на подложкодержатель.
6.1.7. Проверить колпак и станину и при необходимости удалить соринки.
6.1.8. Опустить колпак
6.1.9. После прогрева промасленного насоса произвести откачку рабочей камеры на форвакуум, при достижении вакуума в системе порядка 5·10-3 мм. рт. ст. приступить к откачке на высокий вакуум, через одну минуту включить нагреватель подложек, и откачивать до рабочего вакуума 1·10-5 мм. рт. ст. с одновременным прогревом подложек и подколпачного устройства до Т = 200оС.
6.1.10. Включить ток на первый испаритель c Cr постепенно увеличивая его значение, открыть заслонку.
6.1.11. Произвести напыление слоя Сr, значение сопротивления отслеживать по свидетелю, закрыть заслонку, выключить ток на испаритель.
6.1.12. С помощью ручки повернуть карусель, установив в рабочее положение второй испаритель c Al. Включить ток на второй испаритель постепенно увеличивая его значение, открыть заслонку.
6.1.13. Произвести напыление слоя Аl, закрыть заслонку, выключить ток на испаритель.
6.1.14. С помощью ручки повернуть карусель, установив в рабочее положение третий испаритель с Ni. Включить ток на испаритель постепенно увеличивая его значение, открыть заслонку.
6.1.15. Произвести напыление слоя Ni, закрыть заслонку, выключить ток на испаритель.
6.1.16. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 80оС.
6.1.17. Закрыть затвор, выключить диффузионный насос, через час выключить установку, согласно инструкции по эксплуатации.
6.1.18. Поднять колпак.
6.1.19. Извлечь подложки из установки, при необходимости поместить в специальную тару.
Оборудование: Вакуумная установка УВН2М1 НТО 599.000, омметр.
Инструмент: ключи, плоскогубцы ГОСТ 5547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, пинцет МН 500-60, ножницы РСТРСФСР 145-77.
Оснастка: тара для транспортировки и хранения УЭ 7893-4411, подложкодержатель УН 7888-4829, датчик сопротивления (свидетель) УЭ 7893-4263, испарители УЭ 132-203.
Материалы: Cr ГОСТ 12766-67, Al ГОСТ 11069-84, вольфрамовая проволока ВМ, медная трубка, Ni ГОСТ 849-70, молибденовая лента ФЫПС 471.00.000МК, этиловый спирт ГОСТ 1830-72, вата ГОСТ 8474-80, резиновые перчатки ГОСТ 3-75.
6.2. Фотолитография
6.2.1. Поместить подложку на столик центрифуги.
6.2.2. Нанести фоторезист, скорость вращения центрифуги 2000 об/мин, время вращения одна минута.
6.2.3. Повторить операцию для всех пластин.
6.2.4. Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90оС.
6.2.5. Совместить подложку с фотошаблоном , экспонировать в течении 1 мин.
6.2.6. Проявить в растворе 2% Na3PO4, 98% H2O дистиллированной, до полного проявления, но не более 3 мин.
6.2.7. Быстро промыть под проточной дистиллированной водой.
6.2.8. Произвести контроль качества проявки под микроскопом. При необходимости можно допроявить.
6.2.9. Дубить фоторезистивную маску в термостате при Т = 120оС в течение 5 мин.
6.2.10. Произвести травление пленки Ni в р-е азотной кислоты с водой дистиллированной в отношении 1:1.
6.2.11. Промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.
6.2.12. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.
6.2.13. Произвести травление пленки Al в р-е H3 PO4 (95 мл), HNO3 (5 мл) при Т = 40оС.
6.2.14. Промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.
6.2.15. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.
6.2.16. Произвести травление пленки Cr в р-е HCl (62 мл), H2O (50 мл) и присадка Zn стержень.
6.2.17. Промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.
6.2.18. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.
6.2.19. Смыть фоторезистивную маску в диаксане, проверить качество удаления маски фоторезиста, при необходимости повторить операцию.
6.2.20. Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 мин, сушить в парах спирта.
6.2.21. Контроль качества визуально под микроскопом каждой подложки.
Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9 ТУ3-3.201-71, электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-76, омметр
Оснастка: термостойкая химическая посуда для операций проявления фоторезиста УЭ 7893-4381, промывки и межоперационных операций, фторопластовая ванна для травления УЭ 7893-4380, кассеты УЭ 7893-4411, фотошаблон
Материалы: фоторезист ТУ 6-14-631-71, травители р-р H3 PO4 (95 мл), HNO3 (5 мл) при Т = 40оС ГОСТ 4461-67, р-р HCl (62 мл) ХЧ ГОСТ 3118-77, H2O (50 мл) и присадка Zn стержень ГОСТ 6709-72, проявитель р-р 2% Na3PO4 ГОСТ 4328-77, 98% H2O ГОСТ 6709-72, HNO3 ГОСТ 4461-67 с H2O ГОСТ 6709-72 в отношении 1:1, спирт этиловый ГОСТ 18300-72, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.