Технологический процесс изготовления тонкопленочной гибридной интегральной микросхемы

Страницы работы

Содержание работы

Технологический процесс изготовления тонкопленочной ГИС.

1. Входной контроль ситалловых подложек.

1.1. Извлечь подложку из упаковки, поместить на смотровой столик микроскопа МБС-9, установить увеличение в 350 раз.

1.2. Произвести визуальный обзор качества поверхности, при обнаружении дефектов произвести отбраковку.

1.3 Изделие, прошедшее контроль поместить в тару для транспортировки

Оборудование: Микроскоп МБС-9 ТУ 3–3.201-71

Вспомогательная оснастка: Пинцет МН 500-60, тара для транспортировки УЭ 7893-4411.

2. Очистка подложек.

2.1. Промыть пластины в растворе стирального порошка используя ватный тампон.

2.2. Промывать проточной дистиллированной водой в течение 1 мин.

2.3. Поместить в моющий раствор (насыщенный раствор хромового ангидрида в концентрированной азотной кислоте, выдерживают в течение одного часа).

2.4. Промывать проточной дистиллированной  водой в течении 1мин.

2.5. Сушить в термостате при температуре 120ºС до исчезновения следов влаги.

2.6. Контролировать одну подложку из партии на смачиваемость.

Оборудование: установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, микроскоп МБС-9 ТУ 3–3.201-71, дистиллятор Д-4.

Инструмент: пинцет МН 500-60

Оснастка: фторопластовая кассета для подложек УЭ 7893-4411, стаканы ГОСТ 7148-70, ванны для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, хромовый ангидрид, азотная кислота ГОСТ 4461-67, стиральный порошок ГОСТ 10447-75, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.

3. Изготовление резистивного слоя.

3.1. Вакуумное термическое напыление.

3.1.1. Изготовить испаритель для материала Кермет К-50С из 4-х вольфрамовых проволок.

3.1.2. Включить установку согласно инструкции эксплуатации.

3.1.3. Поднять колпак.

3.1.4. Установить испаритель для материала Кермет К-50С (испаритель в виде  4-х вольфрамовых проволок)

3.1.4.1. Опустить колпак.

3.1.4.2. Рабочую камеру откачать до рабочего вакуума 1·10-5  мм. рт. ст. согласно инструкции эксплуатации установки

3.1.4.3. Произвести отжиг испарителя при максимальном токе в течении одной минуты

3.1.4.4. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 70оС при открытом затворе

3.1.4.5. Закрыть затвор, и студить до Т = 40оС, затем выключить установку согласно инструкции эксплуатации ВТ-установки, поднять колпак.

3.1.5. Поместить навеску испаряемого материала на испаритель.

3.1.6. Поместить подложки в подложкодержатель установить свидетель, по месту крепления установить датчик температуры, непосредственно на подложкодержатель.

3.1.7. Проверить колпак и станину и при необходимости удалить соринки

3.1.8. Опустить колпак

3.1.9. После прогрева паромасленного насоса произвести откачку рабочей камеры на форвакуум, придостижении вакуума в системе порядка 5·10-3 мм. рт. ст. приступить к откачке на высокий вакуум, через одну минуту включить нагреватель подложек, и откачивать до рабочего вакуума 1·10-5 мм. рт. ст. с одновременным прогревом подложек и подколпачного устройства до Т = 200оС.

3.1.10. Включить ток на испаритель постепенно увеличивая его значение, включить вибробункер, открыть заслонку.

3.1.11. Произвести напыление резистивного слоя, значение сопротивления отслеживать по свидетелю.

3.1.12. Студить  рабочую камеру в течение часа до Т = 80оС.

3.1.13. Закрыть затвор, выключить диффузионный насос, через час выключить установку, согласно инструкции по эксплуатации.

3.1.14. Поднять колпак.

3.1.15. Извлечь подложки из установки.

Оборудование: Вакуумная установка УВН2М1 НТО 599.000, омметр.

Инструмент: ключи, плоскогубцы ГОСТ 5547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, пинцет МН 500-60, ножницы РСТРСФСР 145-77.

Оснастка: тара для транспортировки и хранения УЭ 7893-4411, подложкодержатель УН 7888-4829, датчик сопротивления (свидетель) УЭ 7893-4263, испарители УЭ 132-203.

Материалы: кермет К-50С ЕТО.021.013 ТУ, вольфрамовая проволока ВМ, этиловый спирт ГОСТ 1830-72, вата ГОСТ 8474-80, резиновые перчатки ГОСТ 3-75.

3.2. Фотолитография

3.2.1. Поместить подложку на столик центрифуги.

3.2.2. Нанести фоторизист, скорость вращения центрифуги 2000 об/мин, время вращения одна минута.

3.2.3. Повторить операцию для всех пластин.

3.2.4. Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90оС.

3.2.5. Совместить подложку с фотошаблоном , экспонировать в течении 1 мин.

3.2.6. Проявить в растворе, 2% Na3PO4, 98% H2O дистиллированной, до полного проявления, но не более 3 мин.

3.2.7. Быстро промыть под проточной дистиллированной водой.

3.2.8. Произвести контроль качества проявки под микроскопом. При необходимости можно допроявить.

3.2.9.  Дубить фоторезистивную маску в термостате при Т = 120оС в течение 5 мин.

3.2.10. Произвести травление пленки  в травителе НF – 5мл,  HNO – 35мл, Н2О – 60мл.

3.2.11. Затем промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.

3.2.12. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.

3.2.13.  Смыть фоторезистивную маску в диаксане, проверить качество удаления маски фоторезиста, при необходимости повторить операцию.

3.2.14. Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить  1 мин, сушить в парах спирта.

3.2.15. Контроль качества визуально под  микроскопом каждой подложки

Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9 ТУ3-3.201-71, электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-76, омметр

Инструмент: пинцет МН 500-60

Оснастка: термостойкая химическая посуда для операций проявления фоторезиста УЭ 7893-4381, промывки и межоперационных операций, фторопластовая ванна для травления УЭ 7893-4380, кассеты УЭ 7893-4411, фотошаблон

Материалы: фоторизист ТУ 6-14-631-71, травитель  НF – 5мл ГОСТ 10484-73,  HNO3 – 35мл ГОСТ 4461-67, Н2О – 60мл ГОСТ 6709-72, р-р 2% Na3PO4, 98% H2O ГОСТ 6709-72, спирт этиловый ГОСТ 10477-75, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.

4. Изготовление нижних обкладок конденсаторов.

4.1. Вакуумное термическое напыление.

4.1.1. Изготовить испаритель для Сr в виде корзиночки из молибденовой ленты, для Аl проволочный испаритель из 6-и вольфрамовых проволочек в форме корзиночки с медным контактом.

4.1.2. Включить установку согласно инструкции эксплуатации.

4.1.3. Поднять колпак.

4.1.4. Установить испарители для Cr и Al .

4.1.4.1. Опустить колпак.

4.1.4.2. Рабочую камеру откачать до рабочего вакуума 1·10-5  мм. рт. ст. согласно инструкции эксплуатации установки

4.1.4.3. Произвести отжиг испарителей. Испаритель из вольфрама установить в нужное положение при помощи  рукоятки.  Включить ток через испаритель и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут, следующий испаритель из вольфрама установить в нужное положение при помощи  рукоятки.  Включить ток через испаритель и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут, испаритель из молибденовой ленты установить в рабочее положение и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут.

4.1.4.4. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 70оС при открытом затворе.

Похожие материалы

Информация о работе