Красноярский Государственный Технический Университет
к курсовому проекту
по дисциплине:
Выполнил: ст.гр. Р30-2
Шевцов Д.В.
Фенькова Н.Б.
Техническое задание.
Исходные данные.
3.1.Напыление тантала на грунт.
3.2.Термическое окисление в муфельной печи.
4.1. Напыление слоя нитрид тантала (r=200 Ом/ ).
4.2. Фотолитография.
4.3 Травление фоторезистивной маски.
4.4. Межоперационная очистка.
5. Изготовление нижних обкладок конденсаторов.
5.1. Напыление слоя CrAl.
5.2. Фотолитография нижних обкладок конденсаторов.
5.3. Межоперационная очистка.
6. Изготовление диэлектрического слоя из монооксида германия.
6.1. Изготовление обратной фоторезистивной маски.
6.2. Ионоплазменное напыление слоя GeO.
6.3. Травление обратной фоторезистивной маски.
6.4. Межоперационная очистка.
7. Изготовление проводящего слоя, верхних обкладок конденсаторов, контактных площадок.
7.1. Напыление проводящего слоя CrAlNi.
7.2. Фотолитография проводящего слоя, верхние обкладки конденсаторов, контактные площадки.
7.3. Травление.
7.4. Межоперационная очистка.
8. Изготовление защитного слоя.
8.1. Фотолитография защитного слоя.
9. Контроль параметров пленочных элементов.
10. Монтажно-сборочные операции.
Список литературы
Разработать технологическую инструкцию на изготовление устройства.
Подложка: ситалл СT-50-1.
Слой 1: резистивный, нитрид тантала, r=200 Ом/.
Слой 2: нижние обкладки конденсаторов, Cr
– Al, r=0,1
Ом/.
Слой 3: диэлектрический слой ТПК монооксид германия C=5000
пФ/см2.
Слой 4: верхние обкладки конденсаторов, проводники и контактные площадки Cr - Al - Ni , r<0.2 Ом/.
Слой 5: защитный слой, фоторезист негативный ФН-108.
Топологический чертеж КГТУ 160400 ДФ 200800.
Сборочный чертеж КГТУ 160400 ДФ 200800СБ.
1.1. Визуальный контроль под микроскопом на наличие дефектов, царапин и других механических повреждений.
Технологическая оснастка и инструмент: пинцет 7814-0001 – МН 500-60, тара для транспортировки - УЭ 7893-4411.
Оборудование: Микроскоп МБС-9 - ТУ3-3.201-71.
2.1. Промыть пластины в растворе стирального порошка, используя ватный тампон.
2.2. Промыть проточной дистиллированной водой в теч. 1 мин.
2.3. Поместить в моющий раствор (насыщенный раствор хромового ангидрида в концентрированной азотной кислоте), выдержать в течение 1 часа, используя магнитную мешалку.
2.4. Промыть дистиллированной проточной водой в течение 1 мин.
2.5. Поместить подложку в штатив термостата.
2.6. Сушить при температуре 1200С до исчезновения следов влаги.
2.7. Извлечь подложку из термостата.
2.8. Контролировать одну подложку из партии на смачиваемость.
2.9. Поместить в тару для хранения и транспортировки очищенных подложек.
Оборудование, технологическая оснастка и инструмент:
Установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, вытяжной шкаф ШНЖ (ТУ 95.7028-73), микроскоп МБС-9 (ТУ3-3.201-71), дистиллятор Д-4, пинцет 7814-0001 (МН 500-60), тара для хранения и транспортировки (УЭ 7893-4411), эксикатор 2-250 (ГОСТ 6371-73).
Материалы:
Спирт этиловый ректифицированный технический высшего сорта (ГОСТ 18300-72), дистиллированная вода (ГОСТ 6709-72), вата (ГОСТ 10447-75), фильтры бумажные (ТУ 609-1678-72), перчатки резиновые (ГОСТ 3-75), напальчники (ГОСТ 14681-69), хромовый ангидрид, HNO3 (ГОСТ 4461-67).
1. При работе с подложками пользоваться перчатками, которые периодически протирать батистом, смоченным спиртом.
2. Спирт хранить в закрытой колбе.
3. Контрольные образцы хранить в бюксе. Перед установкой в вакуумную камеру контрольные образцы протереть батистом, смоченным спиртом.
4. Резистивный сплав хранить в бюксе.
5. Испарители до момента установки их в вакуумную камеру хранить в бюксе.
6. После напыления сплошного слоя нитрид тантала, производить контроль удельного поверхностного сопротивления напыленных пленок, контроль по внешнему виду на присутствие инородных включений.
7. Максимальная загрузка резистивного сплава в корпус вибропитателя составляет 5 см3.
8. Подложки после операции химической очистки допускается хранить перед напылением резистивного слоя не более 16 часов. Подложки срок, хранения которых превышает 16 часов, должны быть вновь очищены. Не допускается повторную очистку подложек производить более 2-х раз.
9. При проведении процесса пользоваться инструкцией по эксплуатации вакуумной установки и используемых приборов.
3.1.1 перед началом работы:
- открыть вентиль холодной воды на проводящей магистрали
- установить подложку в подложку в подложкодержатель
- опустить колпак и присоединить к нему распылительное устройство
3.1.2 включить установку согласно инструкции по эксплуатации;
3.1.3 включить механический насос;
3.1.4 откачать объем паромасляного насоса;
3.1.5 включить нагреватель паромасляного насоса;
3.1.6 через 35 мин. после включения нагревателя паромасляного насоса включить азотный питатель;
3.1.7 после прогрева паромасляного насоса произвести предварительную откачку подколпачного объема;
3.1.8 при достижении давления 5•10-2 мм рт. ст. под колпаком произвести откачку подколпачного объема паромасляным насосом;
3.1.9 включить источник накала катода;
3.1.10 установить значение тока 100 А;
3.1.11 произвести напуск аргона до рабочего давления в подколпачный объем, установить величину тока накала. Включить источник анодного напряжения, плавно повышать значения напряжения до зажигания плазмы и добиться ее устойчивого горения;
3.1.12 включить карусель и установить необходимую скорость вращения
3.1.13 произвести напыление тантала в течении 1-го часа ;
3.1.14 закрыть заслонку;
3.1.15 выключить вращение карусели;
3.1.16 выключить все источники питания напылительного блока;
3.1.17 закрыть все вентили подачи аргона;
3.1.18 студить подколпачное устройство до температуры 800С;
3.1.19 закрыть затвор;
3.1.20 разгерметизировать колпак;
3.1.21 вынуть подложки;
3.1.22 поместить в специальную кассету для отжига;
3.1.23 Поместить кассету в муфельную печь;
3.1.24 установить терморегулятор на температуре 5500С;
3.1.25 выключить нагрев печи, при достижении температуры муфеля 5500С начать замер времени и отжигать в течение 5,5 ч;
3.1.26 выключить печь;
3.1.27 студить муфель с кассетой до температуры 800С;
3.1.28 извлечь кассету с подложками;
3.1.29 произвести контроль качества подложки микроскопом МБС-9;
3.1.30 поместить подложку в чистую тару для транспортировки и хранения;
Оборудование:
Установка УРМ3 НТО 599.000, муфельная печь ПМ ТУ 80-566-72, вытяжной шкаф ШНЖ ТУ 95.7028-73, микроскоп МБС-9 ТУ 3-3.201-71.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.