Информатика и выч. техника \ Конструирование и технология микросхем

Разработка технологической инструкции на изготовление генератора в виде гибридной интегральной микросхемы, страница 10

Материалы: спирт этиловый ГОСТ 10157-73, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72.


8. Изготовление проводящего слоя и верхних обкладок

8.1 Напыление слоя Cr-AI-Ni

-подготовить подколпачное устройство согласно инструкции по эксплуатации; ЭЕ2.950.081.ТО

-установить испарители по месту:

для первого слоя (Сг) - испаритель из молибденовой ленты;|

для второго слоя (А1)-испаритель из 6-и вольфрамовых проволок;

для третьего слоя (№)-испаритель из 4-х вольфрамовых проволок;

-опустить колпак и откачать рабочую камеру до вакуума 10"5мм рт. ст. соглас­
но инструкции по эксплуатации;                                                                                                         у

-провести отжиг испарителей при максимальном токе в течение 1 мин;

-остудить рабочую камеру в течение 1 часа при открытом затворе;

-закрыть затвор, разгерметизировать колпак и поднять его;

-поместить навеску испаряемого материала на соответствующий испаритель;

-поместить подложку в подложкодержатель;

-откачать рабочую камеру до давления 5-Ю"5 мм. рт. ст., включить квар­цевый нагреватель, нагреть камеру до Т=200°С и подготовить к напылению согласно инструкции по эксплуатации;

-подать ток 280 А на молибденовый испаритель, открыть заслонку, тол­щину слоя Сг отслеживать по свидетелю, при достижении требуемого со­противления закрыть заслонку;

-передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию;

-подать на вольфрамовый испаритель ток 600 А, открыть заслонку, на­пылять А1 в течение 1 минуты, закрыть заслонку;

-передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию;

-подать ток 400 А на 2-й вольфрамовый испаритель, открыть заслонку, напылять Ni в течение 1 минуты, закрыть заслонку;

-выключить все источники питания напылительного блока;

-студить подколпачное устройство до Т=80°С (при откачке на высокий ваку­ум);

-закрыть затвор, разгерметизировать колпак;

-вынуть подложку, поместить её в кассету.

Оборудование: установка вакуумного напыления УВН - 2М-1, омметр В7-15, измеритель температуры;

Оснастка: свидетель, тара для хранения и транспортировки УЭ7893-4412-01, ленточный молибденовый испаритель, проволочный вольфрамо­вый испаритель (6 проволок), испаритель (4 проволоки).

Инструменты: пинцет МН500-60.

Материалы: Сг ГОСТ 4302-68, А1 ГОСТ 4267-68, Ni ГОСТ 4203-68, ба­тист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72, напальчники ГОСТ 1481-69.


8.2 Фотолитография проводящего слоя

-установить скорость центрифуги 4000 об/мин, время вращения одна минута согласно инструкции по эксплуатации; ДЭМЗ.281.001 ТО

-поместить подложку на столик центрифуги;

-включить вакуумный прижим;

-нанести каплю фоторезиста ФП-9120-1 на подложку;

-включить вращение центрифуги;

-поместить пластину в сушильную камеру (Т=90°С, время 15 мин);

-поместить пластину на столик установки совмещения экспонирования;

-произвести установку фотошаблона в шаблонодержатель согласно инст­рукции по эксплуатации;

-произвести совмещение изображения фотошаблона с подложкой согласно инструкции по эксплуатации;

-произвести экспонирование рисунка фотошаблона на подложку (время экс­понирования 180 сек);

-поместить пластину в посуду с проявителем (состав проявителя: 2% рас­твор Na3PO4 в дистиллированной воде);

-проявлять в течение времени, необходимого для проявления, но не более 3 мин;

-контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9, в случае необходимости произвести ретушь или допроявление;

-поместить подложку в термостат, дубить в течение 5 мин при Т=120°С.

Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста У С ДФ-1, установка совмещения и экспонирова­ния ЭМ-526, вытяжной шкаф 2ШНЖ - ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микро­скоп МБС-9.

Инструмент: пинцет.

Оснастка: фотошаблон, кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения итранспоргировки-УЭ7893-4412-01.

Материалы: фоторезист ФП9120-1 ТУ6-36-002Ю134-121-0-96, спирт этило­вый ГОСТ 10157-73, диоксан ГОСТ10455-75 , HF ГОСТ 10484-73, дистиллиро­ванная вода ГОСТ 3424-62, №3РО4 ГОСТ 9337-79 , вата ГОСТ 10447-75, фильтры бумажные УЭ78874105, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72, напальчники ГОСТ 1481-69.

8.3 Травление

-поместить подложку в посуду с раствором (состав раствора: 3 части HNO3, 1 часть Н2О);

-травить до полного удаления Ni с незакрытой фоторезистом поверхности;

-промыть дистиллированной водой;

-поместить подложку в посуду с раствором (состав раствора: Н3РО4-600, во­да - 400 мл);

-травить до полного удаления А1 с незакрытой фоторезистом поверхности;

-промыть дистиллированной водой;

-поместить подложку в посуду с концентрированной НС1;

-травить до полного удаления Сг с незакрытой фоторезистом поверхности, пользуясь присадкой Zn;

-промыть дистиллированной водой;

-поместить в сушильную камеру (Т=90°С, время 15 мин);

-контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9,


при необходимости произвести повторное травление; -удалить фоторезистивную маску в диоксане; -промыть дистиллированной водой в течение 1 мин; -сушить подложку на центрифуге;

-контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микро­скопом МБС-9, при необходимости повторить операцию удаления фоторе­зиста;

-произвести контроль качества слоя нижних обкладок конденсаторов; -поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.

Оборудование: вытяжной шкаф ШНЖ - ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9, электрическая плитка ЭПК-7А - ГОСТ 306-69, весы лабораторные квадрантные модели ВЖ-500г - ТУ 25-06-1101-72.

Инструмент: пинцет МН500-60.

Оснастка: термостойкая химическая посуда ГОСТ 9147-73, фторопла­стовая ванна для травления CMC УЭ7893-4380, кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хра­нения и транспортировки УЭ78934412-01.

Скачать файл