Проектирование широкополосного усилителя из трех каскадов на микросхемах К265УВ6, страница 3

fвi необходимая верхняя граничная частота каскада:

Пi необходимая площадь усиления каскада:


Расчет выходного каскада

Такая площадь усиления может быть обеспечена с помощью усилительной секцией ОЭ-ОБ с применением коррекции эмиттерной противосвязью. И учитывая невысокое выходное напряжение при высокой нагрузке. Возможно применение микросхемы типа К265УВ6.

При работе на высокоомную нагрузку, прежде всего, определим максимально возможное сопротивление нагрузки:

                  

Определим максимально допустимое сопротивление нагрузки

Минимально допустимое сопротивление нагрузки

Выберем коллекторное сопротивление в  пределах 1023 ÷ 1274 Ом :

 Необходимо к выводу-10 микросхемы выходного каскада. Подключим добавочное сопротивление для обеспечения данного Rk.

Rk =R7+R8=470+200=670 Ом;          R4=1200-670=530 Ом

Определим минимальное допустимое питание:

Ближайшие типовое питание, будет 9 В,  

Остаточное напряжение на коллекторе:   

Смещение на эмиттере:

Сопротивление нагрузки выходного каскада:

        -величина коллекторного тока

Параметры биполярного транзистора КТ331Б

                             

                          

                         

                                     

Сопротивление базового делителя :

           

Суммарное сопротивление в эмиттере :  Rэ.с=R2+R4+R5=620+100+84=804 Ом

Напряжение смещения:

Напряжение на базе:

Необходимое смещение на базе для кремниевого транзистора:         

Iк1 и Iк2 коллекторные токи транзисторов:

      

Напряжения коллектор-эмиттер транзисторов:

Проверка допустимой мощности рассеяния :

Есть не большое превышение по мощности. Необходимо  монтировать на данную микросхему пассивное охлаждение в виде, типа радиатор. Данный транзистор можно использовать.

Рассчитаем параметры транзисторов при данных напряжениях и токах :

Верхняя граничная частота транзистора

Сопротивления Сб'к для каждого  транзистора:

Rг сопротивление эквивалентного генератора

C0 - суммарная ёмкость нагрузки

Пк3 - максимально достижимая площадь усиления, выходного каскада:

Для оценки максимально  достижимого коэффициента усиления наедем сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления следующего каскада.

Нестабильность транзистора при изменений температуры:

Для обеспечения стабильности коэффициента усиления введем обратную связь

Выбираем максимальную по модулю нестабильность:         

Rвх1.тр3 - сопротивление транзистора с учётом обратной связи

Rэ.ос3 - сопротивление эмиттерной обратной связи

Для обеспечения необходимого сопротивления эмиттерной противосвязи, зашунтируем R5 - сопротивление микросхемы DA1.3, сопротивлением R5=Rдоп.к3

Постоянная времени каскада выходного каскада:

Раcсчитаем корректирующую емкость выходного каскада с эмиттерной противосвязью.

Постоянная времени данного транзистора составит:

Постоянная времени корректированного звена:

Оптимальный коэффициент коррекции:

Величина корректирующей емкости C10=Cэ3.к:

Расcчитаем элементы, определяющие параметры усилителя в области низких частот, блокировочной и разделительных ёмкостей:

Постоянная времени  каскада усилителя на низких частотах:

коэффициент для постоянной времени выходной разделительной емкости α1=1

коэффициент для постоянной времени блокировочной эмиттерной емкости α2=0.4

коэффициент для постоянной времени входной разделительной емкости α3=1.5

постоянная времени выходной разделительной емкости:

Разделительная емкость между выходным каскадом и нагрузкой, С9=Ср.вых:

постоянная времени блокировочной эмиттерной емкости:

Эмиттерная блокировочная емкость, С8=Сэ.б:

Постоянная времени входной разделительной емкости:

Разделительная емкость между промежуточным и выходным каскадом, С6=Ср.вых

Расчет коэффициента передачи:

На нижних частотах:

Коэффициент передачи на нижней граничной частоте для выходного каскада:

Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте для выходного каскада:      

На верхних частотах:   

Коэффициент передачи на верхней граничной частоте для выходного каскада:

Коэффициент частотных искажений на верхней  граничной частоте для выходного каскада:      


Расчет промежуточного каскада

Параметры транзистора те же, что и в выходном каскаде поэтому их можно не рассчитывать. Rk номинальное и поэтому придется пересчитать допустимые параметры.

                       

Напряжение питание:

Сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления следующего каскада:

Напряжения коллектор-эмиттер транзисторов

Проверка допустимой мощности рассеяния :

Есть не большое превышение по мощности. Необходимо  монтировать на данную микросхему пассивное охлаждение в виде, типа радиатор.

Сопротивление генератора:

Максимально достижимая площадь усиления промежуточного каскада:

Сопротивление транзистора с учётом обратной связи:

Для обеспечения необходимого сопротивления эмиттерной противосвязи, зашунтируем сопротивление R6 - микросхемы DA1.2, сопротивлением R3=Rдоп.к2

Нестабильность усиления:

Расcчитаем корректирующую емкость промежуточного каскада с эмиттерной противосвязью:

Постоянная времени каскада:

Постоянная времени корректируемого каскада:

Оптимальный коэффициент коррекции:

Величина корректирующей емкости, С7=Сэ2.к:

Расcчитаем элементы, определяющие параметры усилителя в области низких частот, блокировочной и разделительной ёмкости: