Исследование физических процессов при амплитудной модуляции смещением

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)

Содержание работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2

АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ СМЕЩЕНИЕМ

Цель работы: исследование физических процессов при амплитудной модуляции смещением.

Приборы и оборудование: базовый блок и сменное устройство. В сменном устройстве расположены нелинейный усилитель, нагрузку и режим которого можно изменять, и последовательный диодный детектор.

           

                                      а)                                                                                                                                      б)

Рис. 1 – а) Эквивалентная схема нелинейного резонансного усилителя; б) Принципиальная схема транзисторного модулируемого усилителя с модуляцией смещением

             

Рис. 2 – Вольт-амперная характеристика транзистора КТ-315 и ее кусочно-линейная аппроксимация

ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ

Характеристическое сопротивление контура:

Добротность:

Эквивалентное сопротивление контура при резонансе:

Статическая модуляционная характеристика:

          U0=0.625 B

,      где

             

Рис. 3 – Статическая модуляционная характеристика транзисторного усилителя с АМ смещением

Выбираем следующие рабочие точки:

а) При Uбм=0.7 В, Uм0=0.61 В

а) При Uбм=0.4 В, Uм0=0.68 В

            Рис. 4 – Зависимость коэффициента модуляции M(Uм)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА

Снимаем статическую модуляционную характеристику при Uкм(Uб0) при постоянном значении напряжения возбуждения:

Uбм=0.4 В

Uб0, В

0.220

0.230

0.250

0.350

0.400

0.800

Uкм, В

0.010

0.025

0.150

0.200

0.220

0.230

Рис. 5 – Экспериментальная статическая модуляционная характеристика транзистора при Uбм=0.4 В

Снимаем динамическую модуляционную характеристику – зависимость коэффициента модуляции напряжения на контуре M от амплитуды модулирующего напряжения UW, при f=fр, частоте модуляции F=1 кГц и амплитудах высокочастотных колебаний Uбм=0.7 В и Uбм=0.4 В

Uбм=0.7 В

UW, В

0.14

0.22

0.28

0.33

0.38

0.54

Umax, В

0.70

0.70

0.70

0.70

0.70

0.70

Umin, В

0.50

0.34

0.30

0.20

0.17

0.05

M

0.17

0.35

0.40

0.56

0.61

0.87

Uбм=0.4 В

UW, В

0.10

0.15

0.21

0.27

0.38

0.50

Umax, В

0.50

0.50

0.50

0.50

0.50

0.50

Umin, В

0.40

0.38

0.30

0.23

0.10

0.05

M

0.11

0.14

0.25

0.37

0.67

0.82

Рис. 6 – Динамическая модуляционная характеристика

Заменяем колебательный контур сопротивлением R=1 кОм. При f=fр, F=1 кГц, амплитуде высокочастотных колебаний Uбм=0.7 В и амплитуде модулирующего напряжения, соответствующей M=50 %, наблюдаем осциллограмму коллекторного тока - рис. 6.

Рис. 6 – Осциллограмма коллекторного тока iк(t)=Uк(t)/R

 
Вывод: проделав данную работу, мы познакомились с одним из способов реализации амплитудной модуляции – амплитудной модуляцией смещением. При проведении работы были сняты статическая и динамическая модуляционные характеристики при разных значениях напряжений возбуждения. Наблюдая экспериментальную статическую модуляционную характеристику, можно сделать вывод, что схема работает в режиме, близком к режиму работы амплитудного ограничителя, о чем свидетельствует резкий спад крутизны характеристики после достижения напряжения смещения Uб0=0.4 В. В целом, результаты, полученные при экспериментальном исследовании, близки к теоретическим, что говорит о достаточной однозначности поведения схемы при любых условиях работы.

Похожие материалы

Информация о работе