Методические указания к выполнению контрольной работы по микросхемотехнике, страница 6

При выполнении расчётных задач для каждого рассчитываемого параметра необходимо сначала привести его расчётную формулу, затем подставить в неё цифровые значения в основных единицах СИ, а результат округлить до практически необходимой номинальной величины. При выборе сопротивлений резисторов и ёмкости конденсаторов следует пользоваться справочником или шкалой номинальных величин, приведенной в приложении П-1.

Ответы на теоретические вопросы курса в контрольных работах должны быть ясными и достаточно подробными, сформулированными самостоятельно, с указанием использованного учебного или другого пособия. Текстовый ответ необходимо пояснять рисунками, графиками или расчетными формулами.

В конце каждой контрольной работы должны быть подпись студента и дата выполнения работы.

Задания к контрольной №1.

                                                                                                  Таблица 4

Вариант	Номер темы
	1	2	3
1	1,6	11,15	4
2	2,6	15	3,4
3	4,6	8,15	4,8
4	7	2,4,15	4,11
5	5	12,15	1,4
6	2,8	5,15	4,5
7	7,10	6,15	4,6
8	8	1,13,15	4,9
9	9	3,15	4,1
0	1	9,14,15	4

Указание. Для выполнения задачи №15 темы 2 необходимо перечертить характеристики соответствующих транзисторов на миллиметровку и на них выполнить графические построения, требуемые для нахождения всех параметров транзисторов. При этом все величины необходимо выражать (перевести) в основных единицах системы СИ. Характеристики транзисторов даны в приложении.

Для выполнения задач по теме 1 необходимо использовать основные положения общей электротехники.

Таблица 5

Задание к контрольной работе №2

Вариант	Номер темы
	4	5	6	7
1	5	2	3	10
2	2	5	-	4
3	3	3	-	11
4	-	5	4	2
5	-	1	5	5
6	-	5	3	3
7	-	4	7	14
8	4	9	-	8
9	9	5	1
0	6	5	6	6

Указание. При выполнении задачи №4 темы 3 полеченные в результате расчета значения сопротивлений резисторов выбирать в соответствии с таблицей номинальных величин (Приложение П-2). Кроме того, необходимо рассчитать и выбрать мощность каждого резистора.

ПРИЛОЖЕНИЕ

П.1. Ряд номинальных мощностей радиорезисторов.

0,1; 0,125; 0,25; 0,5;1; 2;5; 10; 15; 30; 50; 75….Вт.

П.2. Ряд номинальных величин сопротивлений резисторов (Е-24)

1,0	1,5	2,2	3,3	4,7	6,8
1,1	1,6	2,4	3,6	5,1	7,5
1,2	1,8	2,7	3,9	5,6	8,2
1,3	2,0	3,0	4,3	6,2	9,1

Остальные номинальные величины резисторов определяются умножением коэффициентов ряда Е-24 на 10, где n- целое положительное или отрицательное число.

П-3. Предельные данные некоторых транзисторов.

Тип транзистора	Предельные параметры					Коэффициент передачи тока
ГТ 108А	6	20	-	0,03	1	30-100
КТ 203Б	30	10	30	0,15	5	10-50
КТ 312	20	30	60	0,225	60	10-100
КТ 3102	30	100	200	0,25	30	20-100
ГТ 404	25	500	-	0,6/0,3	0,5	30-150
КТ 503	40	300	600	0,5	5	40-80
КТ 602	100	75	500	2,8/0,8	30	80-200
КТ 704А	1000	2500	4000	5,0/1	1	35-50
КТ 814	40	1500	3000	5,0/0,5	5	40-70
КТ 815
КТ 928	60	900	1200	5,0/0,5	30	100-200

Uk- напряжение эмиттер- коллектор схеме с 00.

Ik- максимальный ток коллектора (длительный)

Iимп- максимальный ток коллектора в импульсе

Pрас- допустимая мощность рассеяния (числитель- с радиатором, знаменатель- без радиатора)

Fпр- предельная частота усиления.

Усреднённые характеристики транзисторов даны на с.25…31.

Рис.П3-2

Рис.П3-3

Рис.П3-4

Рис.П3-5

Рис.П3-6

Рис.П3-7

Рис.П3-8

Рис.П3-9

Рис.П3-10