Исследование характеристик биполярного транзистора, определение его параметров, а также расчет однокаскадного усилителя и исследования его характеристик

Страницы работы

10 страниц (Word-файл)

Содержание работы

 Балаковский Институт Техники  Технологии и Управления

Вечерне-заочный факультет

Кафедра  УИТС

Протокол измерений к лабораторной работе №2.

«Биполярный транзистор»

Выполнили: студентки гр. УИТ-32 в

Бетуганова О.М.

Дитюк Е.М.

Прожерина А.Н.

Агафонкина А.П.

Проверил: кандидат физ.-мат. наук,

доцент Коптенко В.И.

Балаково 1999 г.

«Биполярный транзистор» 

I.  Цель работы.

Исследование характеристик биполярного транзистора, определение его параметров, а также расчет однокаскадного усилителя и исследования его характеристик.

II.  Описание установки и обоснование выбора ее элементов.

транзистор МП-25Б ;

резисторы R1=1,5 кОм ; R2=6,8 кОм (переменный); R3=3,4 кОм (переменный);

источник питания с пределом измерения 10 В;

амперметр  Ц4342-класс точности 2,5;

вольтметр Ц4342-класс точности 2,5.

рис.1. Принципиальная электрическая схема.

1.Собираем схему на рис.1.

2.Устанавливаем напряжение коллектора  UK=2 В.

2.1 Устанавливаем некоторый ток базы IБ.

2.2 Снимаем значение тока коллектора  IK.

2.3 Результат заносим в таблицу

2.4 Повторяем пункты  2.1-2.3  для напряжения коллектора  UK=4,6,8,10В.


3. Устанавливаем напряжение коллектора  UK=2 В.

3.1 Устанавливаем некоторое напряжение базы UБ .

3.2 Снимаем значение тока базы IБ.

3.3 Результат заносим в таблицу

3.4 Повторяем пункты  3.1-3.3  для напряжения коллектора  UK=4,6,8,10В.

4. Устанавливаем ток базы  IБ=0 мкА.

4.1 Устанавливаем некоторое напряжение коллектора UК .

4.2 Снимаем значение тока коллектора IК.

4.3 Результат заносим в таблицу

4.4 Повторяем пункты  4.1-4.3  для тока  базы  IБ=20,40,60,80,100 мкА.

III. Результаты измерений.

Таблица 1

UК,B

  2 

  4 

  6

  8

  10

IК,мкА

IК,мА

0,39

0,5

0,5

0,680

0,690

 10

0,81

0,9

1

  1,1

  1,1

 20

 1,2

 1,3

 1,4

 1,6

 1,5

 30

 1,7

 1,8

 1,8

 1,9

 2

 40

  2,1

 2,2

 2,3

 2,5

 2,5

 50

 2,5

 2,7

 2,9

 3

 3,1

 60

 3

 3

 3,3

 3,4

 3,6

 70

 3,5

 3,6

 3,9

 3,9

 4,2

 80

 3,9

  4,1

 4,2

 4,2

 4,3

 90

 4,2

 4,4

 5,1

  5,2

 5,2

 100

Зависимость:     IК = f (IБ)   при  UK=2;4;6;8;10  B (таб.1)

Таблица 2

UБ,B

0

0,15

0,16

0,17

0,18

0,19

0,20

0,21

0,22

0,23

0 24    U,B

IК,мА

-3

50,3

60,5

70,2

80,7

90,1

1004

1106

1203

130,3

140 5    2

-3,4

50,5

603

70,1

80,3

90,2

1006

1108

1202

130 7

140 7    4

-4,2

50,5

60,3

70,6

80,2

90,4

1002

1103

1206

130 8

140 5     6

-5,5

50

60,4

70,5

80,5

90,2

1004

1103

1205

130,7

140 8     8

-6

50,5

60

70,3

80,4

902

100

1106

1206

130,6

140 6    10

Зависимость:   IБ = f (UБ)   при  UК =2;4;6;8;10  B (таб.2)


Таблица 3

IК,мкА

0

20

40

50

60

80

100          U , B

IК,мА

0

0,85

1,1

1,65

2,2

3,37

4,15          1

0

0,89

1,7

2,1

2,5

3,5

4,1            2

0

0,893

1,77

2,2

2,63

3,55

4,34         3

0

0,9

1,8

2,255

2,71

3,61

4,4           4

0

0,947

1,84

2,31

2,84

3,74

4,5           5

0

1

1,91

2,42

2,93

3,9

4,7           6

0

1,1

1,95

2,45

2,96

3,97

4,9           7

0

1,2

1,97

2,485

3

4

5,1           8

0

1,1

2,1

2,6

3,1

4,1

5,3           9

0

1,2

2,1

2,65

3,2

4,2

5,42

Зависимость :  I к = f(Uк ) при  IБ  =0;20;40;50;60;80;100 mkA (таб.3)

Рисунки.

Зависимость : I к = f ( IБ )


Зависимость: IБ = f (UБ)


Зависимость: Iк = f (Uк)


IV. Определение параметров транзистора.

Таблица 4

   IБ ,mkA

55,8

9,8

10,3

9,6

10,2

9,8

10,1

10,3

10,2

9,7       9,6

   UБ-эб,B

0,15

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01    0,01

  h11,

2688

1020

970

1041

980

1020

990

970

980

1030  1041

h11 = f (UБ)  при Uк = 6 B (таб. 4)

Таблица 5

IБ, mkA

15

25

35

45

55

65

75

85

95

Ik, mA

0,5

0,4

0,4

0,5

0,6

0,4

0,6

0,3

0,9

h21

50

40

40

50

60

40

60

30

90

h21 = f ( IБ)  при UК=6 B (таб.5)


Таблица 6

IБ, mkA

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Uk, B

1,5

2,5

3,5

4,5

5,5

6,5

7,5

8,5

9,5

h22,  См

0,45

0,10

0,055

0,055

0,11

0,035

0,030

0,115

0,05

UБ, B

h22 = f (UК)  при IБ=50 mkA (таб.6)


V. Расчет однокаскадного усилителя.

Коэффициент усиления по напряжению : КУ =50

RН = (h11/h21) * КУ=837,820

Запишем уравнение, описывающее прямую:

EИП = UK + IK*RH

Координаты точки для линии нагрузки:

1. UK = 0 ;  I KMAX  = EИП./ RH= 11,9 mA

         точка     A(0;11,9).

2. IK = 0;    UK = EИП =10 B

         точка     B(10;0)

На графике IK=f (UK)  при   IБ=50 mkA по координатам точек  А и В строим нагрузочную  линию, у которой АВ- рабочий участок.

Определим рабочий интервал:   UK = UKB – UKA=9,6–7,1=1,9 B, он

должен соответствовать удвоенной амплитуде переменного сигнала

    UK=2Ua, чтобы быть неискаженным переменным сигналом

Uа= UKB  – UKC =9,6 – 8,65=0,95 B,

 точка С находится   на середине участка АВ.

2Ua = 1,9 = UK,   условие неискаженного сигнала выполняется.

Из графика   IK  =f( UK )   ,найдем UKC=8,65 B;    IKC=1,47 mA

       IK=IKA – IKB=2,6 – 0,35 = 2,25 mA

       IK*RH = 2Uaвых =1,9 B

Зададим масштаб для IБ :  1 см : 10mkA,  тогда IБ =24 mkA

Перейдем к семейству входных характеристик; UKC = 8,65 B; UБЭС = 0,12 B

Рассчитаем сопротивление резисторов.

Известно, что  IД >>IБМАХ =1 mkA

R1 +R 2  = E ип/  IД =1000 Ом

R2 =UД / IД=120 Ом

R1=9880 Ом

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
63 Kb
Скачали:
0