Технические предметы \ Электротехника

Физика полупроводниковых приборов

Новосибирский государственный технический университет (НГТУ)

Курсовые работы

Ответы на экзаменационные билеты

Физическая структура n-p-n интегрального транзистора со скрытым слоем и изоляцией p-n переходов. Преимущества полевых транзисторов перед биполярными. МОП-транзистор с индуцированным каналом